其工作原理是硅單晶材料在受到外力作用產(chǎn)生極微小應(yīng)變時(shí)，其內(nèi)部原子結(jié)構(gòu)的電子能級(jí)狀態(tài)會(huì)發(fā)生變化，從而導(dǎo)致其電阻率劇烈變化，這種物理效應(yīng)稱為壓阻效應(yīng)。利用壓阻效應(yīng)原理，采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過(guò)摻雜、擴(kuò)散，沿單晶硅片上的特定晶向，制成應(yīng)變電阻，構(gòu)成惠斯通電橋，就制成了一個(gè)集力敏與力電轉(zhuǎn)換監(jiān)測(cè)與一體的擴(kuò)散硅傳感器。

    當(dāng)壓力直接或間接地作用在測(cè)量硅片的表面，使膜片產(chǎn)生微小的形變，測(cè)量硅片形變的高精度電路將這個(gè)微小的形變變換成為與壓力成正比的電壓信號(hào)，經(jīng)過(guò)溫度補(bǔ)償，然后采用專用芯片將這個(gè)電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的4-20mA電流信號(hào)或者1-5V電壓信號(hào)。